Инструкция для MSI G41M-P26, G41M-P28, G41M-P34

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adjust CPu Ratio

本項用來調整 CPu 時脈倍頻器 (ratio)。本項在處理器支擾本功能時才會顯示。
adjusted CPu Frequency (MHz)

本項顯示調整後 CPu 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
MeMoRy-Z

按下 <enter> 鍵以進入子選單。

diMM/2 Memory SPd information

按下 <enter> 鍵以進入子選單。本子選單顯示已安裝記憶體的訊息。

advance dRaM Configuration

按下 <enter> 鍵以進入子選單。

dRaM timing Mode

選擇 dRaM 的時序,是否由 dRaM 模組上的 SPd eePRoM 裝置來控制。設

為 [auto by SPd] ,由 BioS 依 SPd 上的組態,來設定 dRaM 時序及其它相

關設定。設定為 [Manual] 時,則以手動方式更改 dRaM 時序及相關選項。
CaS Latency (CL)

將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項控制行位址信

號 (CaS) 延遲,也就是於 SdRaM 接收讀取指令後,開始進行讀取前的延遲時

間 (以時脈計)。 
tRCd

將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。在dRaM更新時,

列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的過渡

時間。時脈數越少,記憶體的效能越好。 
tRP

將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項控制列位址

(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間,讓列位址在記憶體更新之前預充電,

更新可能會不完全,且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態

隨機存取記憶體時。
tRaS

將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項指定 RaS 由讀

取到寫入記憶體所需時間
tRtP

將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。讀取到預充電間的

時間差。
tRFC

將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項指定 RFC 由讀

取記憶體到寫入記憶體所需時間。  
tWR

將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項指定在有效寫

入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入緩

衝內的資料,可於預充電前被寫入記憶體。

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