Инструкция для MSI G41M4-F, G41M4-L, G41TM-P31, G41TM-P33

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MS-7592

Cell Menu

Current CPu/dRaM Frequency (目前 CPu/ 記憶體頻率)

本項顯示目前的 CPu/ 記憶體頻率。唯讀。
intel eiSt (intel 節電技術)

本技術依電腦使用電池或接 aC 交流電源的情況,來設定微處理器的效能表現。本

項在安裝支援 intel

®

 SpeedStep 技術的 CPu 才會顯示。

adjust CPu FSB Frequency (MHz) (調整 CPu FSB 頻率)

本項可調整 CPu FSB 頻率。
adjusted CPu Frequency (MHz) (調整後 CPu 頻率)

本項顯示調整後 CPu 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
advance dRaM Configuration (進階記憶體設定)

按下 <enter> 鍵,即可進入以下子選單。

dRaM timing Mode (記憶體時序模式)

選擇 dRaM 的時序,是否由 dRaM 模組上的 SPd eePRoM 裝置來控制。設

為 [auto by SPd] ,由 BioS 依 SPd 上的組態,來設定 dRaM 時序及其它相

關設定。設定為 [Manual] 時,則以手動方式更改 dRaM 時序及相關選項。
CaS Latency (CL)

將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時,可調整本欄位。本項控制行位址

信號 (CaS) 延遲,也就是於 SdRaM 接收讀取指令後,開始進行讀取前的延遲

時間 (以時脈計)。 
tRCd

將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時,可調整本欄位。在dRaM更新

時,列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的

過渡時間。時脈數越少,記憶體的效能越好。 

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