Инструкция для MSI G41M4-F, G41M4-L, G41TM-P31, G41TM-P33

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tRP

將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時,可調整本欄位。本項控制列位址

(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間,讓列位址在記憶體更新之前預充電,

更新可能會不完全,且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態

隨機存取記憶體時。
tRaS

將「記憶體時序模式」設為手動  [Manual]  時,可調整本欄位。本項指定  RaS 

由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRtP

將「記憶體時序模式」設為手動  [Manual]  時,可調整本欄位。讀取到預充電間

的時間差。
tRFC

將「記憶體時序模式」設為手動  [Manual]  時,可調整本欄位。本項指定  RFC 

由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR

將「記憶體時序模式」設為手動  [Manual]  時,可調整本欄位。本項指定在有效

寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入

緩衝內的資料,可於預充電前被寫入記憶體。
tRRd

將「記憶體時序模式」設為手動  [Manual]  時,可調整本欄位。本項設定不同記

憶體間的 active-to-active 延遲時間。
tWtR

將「記憶體時序模式」設為手動  [Manual]  時,可調整本欄位。本項設定資料寫

入到讀取指令延遲時間。本項包括在上次有效寫入到下次讀取指令到相同  ddR 

裝置內部記憶體間產生的最小時脈數。

FSB/dRaM Ratio (FSB / 記憶體倍頻比率)

本項可調整 FSB 的倍頻比率到記憶體。
adjusted dRaM Frequency (MHz) (調整後記憶體頻率)

本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
adjust PCi-e Frequency (MHz) (調整 PCi-e 頻率)

本項設定 PCi-e 頻率。
auto disable dRaM/PCi Frequency (自動關閉記憶體/ PCi 頻率)

設為開啟[enabled],系統會從空出的插槽移除(關閉)時脈,以減少電磁波干擾

(eMi)。
Spread Spectrum (頻譜擴散)

主機板的時脈產生器開展到最大時,脈衝的極大值突波,會引起電磁波干擾

(eMi)。頻譜擴散功能,可藉由調節脈衝以減少 eMi 的問題。若無電磁波干擾的問

題,請將本項目設為關閉  [disabled],以達到較佳的系統穩定性及效能。若要符合 

eMi  規範,請選擇開啟  [enabled],以減少電磁波。切記,如需進行超頻,請務必

將本功能關閉,因為即使是些微的劇波,均足以引起時脈速度的增快,進而使超

頻中的處理器被鎖定。

注意事項

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